来源:广州宏武材料科技有限公司 立方碳化硅专家 发布时间:2021-08-26浏览量:次
立方碳化硅(β-SiC)属立方晶系,与金刚石、立方氮化硼(CBN)晶体结构一样,立方碳化硅硬度高,韧性大,切削力强,磨削效率高,耐高温,耐热震,耐辐射,耐腐蚀,具有良好的半导体特性。产品纯度高、自然堆积密度高、粒度分布窄,被广泛用于电子,信息,军工,耐火材料,特种陶瓷材料,精细抛光和增强材料等领域。β-SiC,属立方晶系,也就是立方碳化硅。它在第三代半导体产业中用于制备碳化硅晶圆,作为电子封装材料也已受到业界的青睐。
在高温、高频、大功率半导体器件和紫外探测器、短波长发光二极管、高温及抗辐射数字集成电路等方面成为很有吸引力的新材料。
作为SiC单晶、SiC靶材料的高级原料等更有广阔的应用前景。
1. 立方SiC和纳米SiC在代替金刚石、碳化硼、氮化硼、氧化锆、氧化铝等磨料加工铜、铝、钨铁、不锈钢、铸铁、太阳能电池、硅片、宝玉石、电子电工产品等方面更具有很高的性价比。作为精抛材料,是电子、医学、测量、军工、航天航空高精密光学镜片精抛时的最佳选材之一,用于各类轴承磨抛的油石产品制造。目前已大量代替进口材料。
2. 立方碳化硅研磨膏:立方碳化硅研磨膏切削能力强,抛光性能好,对不良的几何形状有较好的纠正能力,研磨表面光洁度高,且清洗效果良好。
3. 轴承加工:立方碳化硅(β-SiC)油石在套圈沟道超精研中显示了独特的优势,比刚玉加工光洁度高,R弧形状好;比绿硅切削力强,耐磨性好,它既保证了轴承沟曲率、精度,改善了波纹度,满足C、D、G级轴承光洁度要求,又使生产率成倍提高。 用立方碳化硅(β-SiC)磨削时,磨粒上较快形成小平面或内凹面,又由于立方碳化硅(β-SiC)晶粒表面固有光滑性,使之不易粘屑,所以在超精研和磨削时,保持了锋利刃口和较高的光洁度。
4. 砂轮应用研究: 使用粒度分布较宽的立方碳化硅(β-SiC)与普通碳化硅(α-SiC)粉末按一定比例混合时可达到较高的堆积密度,利于在热压及冷压时达到较高的烧结密度。 立方碳化硅(β-SiC)比普通碳化硅(α-SiC)有着较好的烧结性能,当普通碳化硅(α-SiC)与立方碳化硅(β-SiC)按9:1质量比混合烧结时,烧结密度达到2.71×103kg/m3,其烧结试块与普通砂轮对磨,试块的失重量只有砂轮失重量的1/49.5,显示出极好的耐磨性。
宏武立方贝塔碳化硅包括的规格有:纳米碳化硅,超细亚微米碳化硅,微米碳化硅。欢迎咨询订购。