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来源：广州宏武材料科技有限公司 发布时间：2023-08-25浏览量：次
在硅材料中掺入杂原子，如硼、磷、锗等可以显著改善硅基材料的导电性，调节其能带结构。
例如在硅中掺入微量硼原子可以使硅由本征半导体转变为p形半导体，极大提升其导电性能。同时，硼的引入可以调节硅基材料的费米能级，使其费米能级向价带偏移，改善硅基材料的抗氧化性能。但目前纳米硅成本还非常高，获得硼掺杂的纳米硅难度。向硅中掺杂硼的条件也非常苛刻，例如半导体工业中需要通过离子注入结合高温退火的方式实现硼的掺杂。
硼掺入硅中会形成p型半导体，p型半导体的空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体，掺入硼越多，空穴的浓度就越高，导电性能就越强。并且硼的掺入也能有效地改善硅负极材料高达300%的体积膨胀，所以硅硼负极材料的比容量和导电性都明显强于硅。
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